制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-262-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:50 A

Rds On-漏源导通电阻:7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:29 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:79 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Tube

高度:9.45 mm

长度:10.2 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.5 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:35 S

下降时间:7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:26 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:37 ns

典型接通延迟时间:15 ns

零件号别名:IPI084N06L3GXKSA1 SP001065242

单位重量:2 g